Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,404.5 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 104
    Около -174% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 15.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 3264
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения