RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link