RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2347
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link