RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1932
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link