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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
104
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
65
读取速度,GB/s
3,192.0
15.8
写入速度,GB/s
2,404.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1932
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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