RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
104
Wokół strony -395% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3168
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link