RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
104
Около -395% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3168
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link