RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
104
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2386
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link