Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 104

Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 2,404.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 50
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 10.6
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2386

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

модули RAM