RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
Corsair VS1GB800D2 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair VS1GB800D2 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair VS1GB800D2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,361.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,680.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,361.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
460
3299
Corsair VS1GB800D2 1GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link