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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
4,680.7
17.3
写入速度,GB/s
1,361.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3299
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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