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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 9965600-005.A00G 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
10.4
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2533
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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