RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
104
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2331
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link