RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2353
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link