RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2353
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link