RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2353
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link