RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2199
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link