RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2432
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link