RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
104
Wokół strony -420% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3432
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link