RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2225
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link