RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2225
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link