RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
71
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
59
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2225
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link