RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2889
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link