RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
104
Intorno -316% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
25
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2889
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link