RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2608
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link