RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3510
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link