RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3260
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link