RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3486
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link