RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
65
Wokół strony -306% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
16
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
3952
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link