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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
22.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
16
65
左右 -306% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
21.2
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
16
读取速度,GB/s
3,858.9
22.3
写入速度,GB/s
1,574.4
21.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
3952
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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