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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 21.2
    测试中的平均数值
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 58
    左右 -222% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.7 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 21.2
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 17.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 3663

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