Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 21.2

Среднее значение в тестах

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 58

Около -222% меньшая задержка
Выше скорость записи

17.7 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 18
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 21.2
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 3663

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

модули RAM