RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
3235
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link