RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2828
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link