RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2082
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link