RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
9.6
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
2082
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link