RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Super Talent F26UB16GH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
1769
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link