RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
74
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4124
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link