RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
23.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
4124
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link