RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3183
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link