RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2640
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link