RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2966
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link