RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
74
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3252
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link