RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3886
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link