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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
19.9
写入速度,GB/s
2,201.1
16.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3886
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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