RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3139
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link