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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
16.9
写入速度,GB/s
2,201.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3139
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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