RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2905
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link