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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
74
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
35
读取速度,GB/s
4,178.4
15.8
写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2905
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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