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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
74
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
35
读取速度,GB/s
4,178.4
15.8
写入速度,GB/s
2,201.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2905
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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