RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2534
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link