RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3061
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link