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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
18.2
写入速度,GB/s
2,201.1
13.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3061
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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